考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置

   日期:2021-01-13     浏览:0    评论:0    
核心提示:某OEM系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380作为溅射源.KRI射频离子源RFICP380技术
   OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

portant;">

射频离子源型号

portant;">

RFICP380

portant;">

Discharge 阳极

portant;">

射频 RFICP

portant;">

离子束流

portant;">

>1500 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

30 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦平行散射

portant;">

流量

portant;">

15-50 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

39 cm

portant;">

直径

portant;">

59 cm

portant;">

中和器

portant;">

LFN 2000

 

 

该复合磁控溅射沉积装置主要包含:

1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000

3. 高功率脉冲磁控溅射电源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基台

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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